Intelligent Power Switch 1 Channel Low Side Driver in a D-Pak Package The IPS031R is a power MOSFET manufactured by IR (International Rectifier). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **IR (International Rectifier)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.031Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  

### **Description:**  
The IPS031R is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard 5V or 10V drive signals.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.