OptiMOS®2 The **IPI14N03LA** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 780pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for improved reliability.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.