### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 60W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness in operation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheets or additional parameters, refer to the manufacturer's documentation.