OptiMOS®2 The IPD03N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to Infineon's official documentation.