Low Voltage MOSFETs The IPB05N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB05N03LA  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for rugged performance.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

This information is based solely on Infineon's datasheet for the IPB05N03LA.