Low Voltage MOSFETs The IPB03N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB03N03LA  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IPB03N03LA is a low-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for enhanced efficiency in low-voltage applications.  
- High current handling capability in a compact DPAK package.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- RoHS compliant.  

This information is based solely on Infineon's datasheet for the IPB03N03LA.