2.3A, 80V, 0.222 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The **HUFA76504DK8T** from Fairchild Semiconductor is a high-performance power MOSFET designed for efficient switching applications. This N-channel device features a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, making it well-suited for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency systems.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 40V and a continuous drain current (ID) capability of 50A, the HUFA76504DK8T delivers robust performance in demanding environments. Its advanced trench technology ensures minimal conduction losses, enhancing overall system efficiency. The MOSFET is housed in a thermally efficient **Power56 package**, which provides excellent heat dissipation and reliability under high-power conditions.  

Key attributes include a low gate charge (Qg) and a high avalanche energy rating, contributing to improved switching performance and ruggedness. Additionally, the device is RoHS-compliant, meeting modern environmental standards.  

Engineers and designers often select the HUFA76504DK8T for applications requiring high current handling, low power dissipation, and compact form factors. Its combination of electrical and thermal characteristics makes it a dependable choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications where efficiency and durability are critical.