20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs The **HUF75321D3S** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power management applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, making it well-suited for switching and amplification tasks in industrial, automotive, and consumer electronics.  

With a **30V drain-to-source voltage (VDS)** rating and a continuous drain current (ID) of **75A**, the HUF75321D3S ensures efficient power delivery while minimizing conduction losses. Its **logic-level gate drive** allows for compatibility with low-voltage control circuits, simplifying system design. Additionally, the MOSFET incorporates **fast switching characteristics**, reducing switching losses in high-frequency applications.  

The device is housed in a **TO-252 (DPAK) package**, providing a compact footprint and excellent thermal performance. Its robust construction ensures reliability in demanding environments, including high-temperature conditions.  

Engineers often integrate the HUF75321D3S into **DC-DC converters, motor drivers, and load switches**, where efficiency and thermal management are critical. Its combination of low RDS(on) and high current capacity makes it a preferred choice for power electronics designs requiring both performance and durability.  

For detailed specifications, designers should refer to the official datasheet to ensure proper implementation in their circuits.

20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs The **HUF75321D3S** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power management applications. This component is optimized for low on-resistance and fast switching, making it ideal for use in DC-DC converters, motor control circuits, and power supply systems.  

With a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **75A**, the HUF75321D3S delivers efficient power handling in a compact **D2PAK (TO-263) package**. Its low **RDS(ON)** of **3.2mΩ** (typical at 10V VGS) ensures minimal conduction losses, improving overall system efficiency.  

The MOSFET features **logic-level gate drive compatibility**, allowing it to be controlled by low-voltage signals (4.5V VGS), which simplifies circuit design. Additionally, its **fast switching characteristics** reduce switching losses, making it suitable for high-frequency applications.  

Built with **Fairchild Semiconductor’s advanced trench technology**, the HUF75321D3S offers robust thermal performance and reliability. Its **avalanche energy rating** enhances durability in demanding environments.  

Engineers and designers can leverage this MOSFET for applications requiring high current handling, energy efficiency, and compact form factors. Its combination of performance and reliability makes it a preferred choice for modern power electronics.