2.6A/ 55V/ 0.090 Ohm/ N-Channel UltraFET Power MOSFET The part **HUF75307T3ST** is a **30V P-Channel Power MOSFET** manufactured by **Intersil** (now part of Renesas Electronics).  

### Key Specifications:  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### Applications:  
- Power management  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery protection circuits  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.

2.6A/ 55V/ 0.090 Ohm/ N-Channel UltraFET Power MOSFET **Introduction to the HUF75307T3ST Electronic Component**  

The HUF75307T3ST is a high-performance power MOSFET designed for efficient switching applications in various electronic circuits. Known for its low on-resistance and fast switching capabilities, this component is widely used in power management systems, motor control, and DC-DC converters.  

Built with advanced semiconductor technology, the HUF75307T3ST offers a robust voltage and current handling capacity, making it suitable for demanding environments. Its compact surface-mount package ensures easy integration into modern PCB designs while maintaining thermal efficiency.  

Key features include enhanced thermal performance, low gate charge, and high reliability, which contribute to reduced power losses and improved system efficiency. Engineers often select this MOSFET for applications requiring precise control and high power density.  

Whether used in industrial automation, automotive electronics, or consumer devices, the HUF75307T3ST provides a dependable solution for power switching needs. Its design prioritizes durability and performance, ensuring consistent operation under varying load conditions.  

For designers seeking a balance between efficiency and cost-effectiveness, the HUF75307T3ST remains a practical choice in power electronics.

2.6A/ 55V/ 0.090 Ohm/ N-Channel UltraFET Power MOSFET The **HUF75307T3ST** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **P-channel MOSFET** designed for power management applications. This component is optimized for low on-resistance (*R_DS(on)*) and high current-handling capabilities, making it suitable for switching and load control in various electronic systems.  

Featuring a **-30V drain-to-source voltage (V_DSS)** and a **-13A continuous drain current (I_D)**, the HUF75307T3ST ensures efficient power delivery with minimal losses. Its compact **D-PAK (TO-252)** package allows for effective thermal dissipation, enhancing reliability in demanding environments.  

The MOSFET is well-suited for **DC-DC converters, motor drivers, and battery management circuits**, where fast switching and low power dissipation are critical. Its robust construction and performance characteristics make it a dependable choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

Engineers value the HUF75307T3ST for its balance of efficiency, durability, and cost-effectiveness. When integrated into circuit designs, it contributes to improved energy efficiency and system longevity. For detailed specifications, refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper implementation in your application.