Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The part **HN2D02FU** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** HN2D02FU  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 60A  
- **Power Dissipation (PD):** 100W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) – 2.5V (max)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3000pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files. Let me know if you need further details.