Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The part HN1D02FU is manufactured by TOSHIBA. It is a high-speed switching diode with the following specifications:  

- **Type**: Switching Diode  
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (V_RRM)**: 100V  
- **Average Rectified Forward Current (I_F(AV))**: 1A  
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM)**: 30A  
- **Forward Voltage (V_F)**: 1.1V (at 1A)  
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 4ns  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOD-123FL  

This diode is designed for high-speed switching applications.

Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The part **HN1D02FU** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications based on the available knowledge:  

- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** HN1D02FU  
- **Type:** Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package, 8-pin)  
- **Voltage Rating:** 30V (Drain-Source Voltage, VDS)  
- **Current Rating:** 20A (Drain Current, ID)  
- **Power Dissipation:** 2W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 8.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

This MOSFET is commonly used in power switching applications, such as DC-DC converters, motor drivers, and power management circuits.  

For exact datasheet details, refer to TOSHIBA’s official documentation.