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FQA5N90 from FAIRCHIL,Fairchild Semiconductor

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FQA5N90

Manufacturer: FAIRCHIL

900V N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQA5N90 FAIRCHIL 18 In Stock

Description and Introduction

900V N-Channel MOSFET The FQA5N90 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** FQA5N90  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDSS):** 900V  
- **Current Rating (ID):** 5A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 190W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **Package:** TO-3P  
- **Applications:** Switching power supplies, motor control, and other high-voltage applications  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FQA5N90.

Application Scenarios & Design Considerations

900V N-Channel MOSFET# FQA5N90 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQA5N90 is a 900V N-Channel MOSFET specifically designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Power Supply Systems 
- Switch-mode power supplies (SMPS) requiring high-voltage handling capability
- Flyback and forward converters in AC/DC power supplies
- Power factor correction (PFC) circuits
- Industrial power supplies operating from 3-phase mains (up to 480VAC)

 Motor Control Applications 
- Variable frequency drives (VFDs) for industrial motors
- Brushless DC motor controllers
- Servo drive systems requiring high-voltage switching

 Lighting Systems 
- High-intensity discharge (HID) lamp ballasts
- LED driver circuits for commercial lighting
- Electronic ballasts for fluorescent lighting

 Renewable Energy 
- Solar inverter systems
- Wind power conversion systems
- Battery charging systems for renewable energy storage

### Industry Applications
-  Industrial Automation : Motor drives, robotic systems, and industrial control equipment
-  Telecommunications : Base station power systems, telecom rectifiers
-  Consumer Electronics : High-end power adapters, gaming console power supplies
-  Automotive : Electric vehicle charging systems, automotive power conversion
-  Medical Equipment : High-voltage power supplies for medical imaging and diagnostic equipment

### Practical Advantages
-  High Voltage Rating : 900V breakdown voltage enables operation in harsh voltage environments
-  Low RDS(on) : 5.0Ω maximum at 25°C provides efficient switching performance
-  Fast Switching : Typical switching times of 35ns (turn-on) and 110ns (turn-off)
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against voltage spikes and inductive switching
-  Low Gate Charge : 12nC typical reduces gate driving requirements

### Limitations
-  Gate Sensitivity : Requires careful gate drive design to prevent oscillations
-  Thermal Management : High voltage operation generates significant heat requiring proper heatsinking
-  Cost Consideration : Higher cost compared to lower voltage alternatives
-  Parasitic Capacitance : High output capacitance (Coss) affects high-frequency performance

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and increased losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs capable of 1-2A peak current
-  Pitfall : Gate oscillation due to layout parasitics
-  Solution : Implement gate resistors (10-47Ω) close to the MOSFET gate pin

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Calculate thermal impedance and use appropriate heatsinks
-  Pitfall : Poor thermal interface material application
-  Solution : Use high-quality thermal pads or thermal grease with proper mounting pressure

 Voltage Spikes 
-  Pitfall : Voltage overshoot during turn-off damaging the device
-  Solution : Implement snubber circuits and ensure proper freewheeling paths

### Compatibility Issues

 Gate Driver Compatibility 
- Requires gate drivers with 10-20V capability (standard logic level compatible)
- Avoid drivers with excessive ringing or overshoot
- Ensure driver can handle the required peak current (typically 1-2A)

 Controller IC Compatibility 
- Compatible with most PWM controllers from major manufacturers
- Ensure controller dead time matches MOSFET switching characteristics
- Verify controller frequency limitations (typically up to 200kHz)

 Protection Circuit Compatibility 
- Requires overcurrent protection with fast response time (<1μs)
- Thermal protection should account for the device's thermal mass
- Voltage clamping circuits must handle the 900V rating

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Keep high

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQA5N90 FAIRCHILD 31 In Stock

Description and Introduction

900V N-Channel MOSFET The FQA5N90 is an N-Channel MOSFET manufactured by FAIRCHILD. Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 900V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 20A  
- **Power Dissipation (PD)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg)**: 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 65ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-3P  

These specifications are based on FAIRCHILD's datasheet for the FQA5N90 MOSFET.

Application Scenarios & Design Considerations

900V N-Channel MOSFET# FQA5N90 N-Channel MOSFET Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQA5N90 is a 900V, 4.5A N-Channel MOSFET specifically designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Power Supply Systems 
- Switch-mode power supplies (SMPS) in flyback and forward converter topologies
- Power factor correction (PFC) circuits in AC-DC converters
- High-voltage DC-DC converters for industrial equipment

 Motor Control Applications 
- Three-phase motor drives for industrial automation
- Brushless DC motor controllers
- Servo drive systems requiring high-voltage handling capability

 Lighting Systems 
- Electronic ballasts for fluorescent lighting
- High-intensity discharge (HID) lamp ballasts
- LED driver circuits for commercial lighting

### Industry Applications
 Industrial Automation 
- Programmable logic controller (PLC) power modules
- Industrial motor drives up to 600V AC systems
- Robotics power distribution systems

 Consumer Electronics 
- LCD/LED television power supplies
- Computer server power supplies
- High-end audio amplifier power stages

 Renewable Energy 
- Solar inverter DC-AC conversion stages
- Wind turbine power conditioning systems

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  High Voltage Rating : 900V VDS rating provides excellent margin for 600VAC line applications
-  Low RDS(ON) : Typical 1.2Ω at 25°C ensures minimal conduction losses
-  Fast Switching : Typical 45ns turn-on and 110ns turn-off times enable high-frequency operation
-  Avalanche Energy Rated : 640mJ capability provides robustness against voltage spikes
-  Low Gate Charge : 42nC typical reduces drive circuit requirements

 Limitations: 
-  Moderate Current Handling : 4.5A continuous current may require paralleling for high-power applications
-  Thermal Considerations : Requires proper heatsinking for continuous high-current operation
-  Gate Sensitivity : Maximum ±30V VGS rating demands careful gate drive design
-  Cost Considerations : Higher voltage rating increases component cost compared to lower-voltage alternatives

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Overvoltage Stress 
-  Pitfall : Voltage spikes exceeding 900V rating during switching transitions
-  Solution : Implement snubber circuits and ensure proper layout to minimize parasitic inductance

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current leading to slow switching and increased losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs capable of 2A peak output current
-  Pitfall : Gate oscillation due to poor layout and excessive trace inductance
-  Solution : Place gate resistor close to MOSFET gate pin, use twisted pair for gate connections

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking causing thermal runaway
-  Solution : Calculate power dissipation and select appropriate heatsink based on RθJA and maximum junction temperature

### Compatibility Issues with Other Components
 Gate Drivers 
- Compatible with most industry-standard gate driver ICs (IR21xx, TLP350, etc.)
- Requires negative voltage capability for certain bridge configurations
- Ensure driver output voltage stays within ±30V absolute maximum rating

 Control ICs 
- Works well with popular PWM controllers (UC38xx, SG3525, etc.)
- Compatible with microcontroller-based systems using appropriate gate driver interface

 Passive Components 
- Bootstrap capacitors must withstand full supply voltage
- Snubber components should be rated for high-frequency operation
- Decoupling capacitors must handle high ripple currents

### PCB Layout Recommendations
 Power Stage Layout 
- Keep high-current loops as small as possible to minimize parasitic inductance
- Use wide copper pours for source connections to reduce resistance
-

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQA5N90 FSC 70 In Stock

Description and Introduction

900V N-Channel MOSFET The part **FQA5N90** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDSS):** 900V  
- **Current Rating (ID):** 5A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **RDS(on) (Max):** 1.5Ω @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **Package:** TO-220F  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQA5N90.)

Application Scenarios & Design Considerations

900V N-Channel MOSFET# FQA5N90 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQA5N90 is a 900V N-channel MOSFET specifically designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Power Supply Systems 
- Switch-mode power supplies (SMPS) in flyback and forward converter topologies
- Power factor correction (PFC) circuits for industrial equipment
- High-voltage DC-DC converters requiring robust voltage handling capabilities

 Motor Control Applications 
- Variable frequency drives (VFDs) for industrial motor control
- Brushless DC motor controllers in automotive and industrial systems
- High-power servo drives requiring fast switching characteristics

 Lighting Systems 
- Electronic ballasts for high-intensity discharge (HID) lighting
- LED driver circuits for commercial and industrial lighting
- High-voltage dimming and control systems

### Industry Applications
 Industrial Automation 
- PLC power modules and motor drives
- Robotic control systems requiring high-voltage switching
- Industrial heating element controllers

 Renewable Energy 
- Solar inverter systems and charge controllers
- Wind turbine power conversion systems
- Energy storage system power management

 Consumer Electronics 
- High-end audio amplifiers requiring high-voltage operation
- Large display power systems
- High-power adapter circuits

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  High Voltage Rating : 900V drain-source voltage rating provides excellent margin for 400-600VAC applications
-  Low RDS(on) : Typical 5.0Ω at 25°C ensures minimal conduction losses
-  Fast Switching : Typical switching times of 35ns (turn-on) and 65ns (turn-off)
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against voltage spikes and inductive switching
-  TO-3P Package : Excellent thermal performance with low thermal resistance

 Limitations: 
-  Gate Charge : Relatively high total gate charge (45nC typical) requires careful gate driver design
-  Package Size : TO-3P package may be bulky for space-constrained applications
-  Cost Considerations : Higher cost compared to lower voltage alternatives
-  Switching Losses : Significant at high frequencies due to Miller capacitance

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current leading to slow switching and excessive losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs capable of delivering 2-3A peak current
-  Pitfall : Gate oscillation due to poor layout and excessive trace inductance
-  Solution : Implement tight gate loop with minimal trace length and use gate resistors

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking causing thermal runaway
-  Solution : Calculate thermal requirements based on worst-case power dissipation
-  Pitfall : Poor mounting technique increasing thermal resistance
-  Solution : Use proper thermal interface material and correct mounting torque

 Voltage Stress 
-  Pitfall : Voltage overshoot exceeding maximum ratings
-  Solution : Implement snubber circuits and careful PCB layout to minimize parasitic inductance

### Compatibility Issues with Other Components
 Gate Drivers 
- Compatible with most standard MOSFET drivers (IR21xx, TLP250, etc.)
- Requires drivers with sufficient voltage capability (15-20V typical)
- Watch for compatibility with logic level interfaces (4-5V drive may be insufficient)

 Protection Circuits 
- Overcurrent protection must account for peak current capability (5A continuous)
- Thermal protection circuits should monitor case temperature
- Voltage clamping circuits needed for inductive load applications

 Control ICs 
- PWM controllers must support required switching frequency range
- Feedback systems should account for device timing characteristics
- Isolation requirements for high-side applications

### PCB Layout Recommendations
 Power Stage Layout 
- Keep power traces short and wide to minimize

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