300V N-Channel MOSFET The **FQA44N30** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 300V and a continuous drain current (I_D) of 44A, this component is well-suited for high-power switching circuits, including motor drives, power supplies, and inverters.  

Featuring a low on-resistance (R_DS(on)) of 0.062Ω, the FQA44N30 minimizes conduction losses, improving overall efficiency in demanding applications. Its fast switching characteristics and robust design ensure reliable performance under high-voltage and high-current conditions.  

The MOSFET is housed in a TO-3PN package, providing excellent thermal dissipation and mechanical durability. Additionally, its gate charge (Q_g) and input capacitance (C_iss) are optimized for efficient driving, reducing switching losses in high-frequency circuits.  

Engineers and designers favor the FQA44N30 for its balance of power handling, thermal performance, and reliability. Whether used in industrial, automotive, or renewable energy systems, this MOSFET delivers consistent operation under rigorous conditions, making it a dependable choice for power electronics applications.

300V N-Channel MOSFET The **FQA44N30** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for demanding power applications. With a voltage rating of **300V** and a continuous drain current capability of **44A**, this component is well-suited for switching circuits, power supplies, motor controls, and inverters.  

Built using advanced trench technology, the FQA44N30 offers low **on-resistance (RDS(on))** of **60mΩ**, ensuring efficient power handling with minimal heat dissipation. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency operations, while the robust design enhances reliability in harsh environments.  

The MOSFET features a **TO-3P package**, providing excellent thermal performance and mechanical strength. It also includes an intrinsic body diode, which aids in protecting the device from reverse voltage spikes. Engineers often choose the FQA44N30 for its balance of efficiency, durability, and cost-effectiveness in industrial and automotive applications.  

For optimal performance, proper heat sinking and gate drive considerations should be followed, as with any high-power MOSFET. Its specifications make it a dependable choice for designers seeking a rugged, high-current switching solution.

300V N-Channel MOSFET The part **FQA44N30** is manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 300V  
- **Current Rating (I_D)**: 44A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.062Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-3P  
- **Application**: High-power switching, motor control, and power supplies  

These specifications are based on standard datasheet data for the FQA44N30 MOSFET.