NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier The part FMB2222A is manufactured by FAIRCHILD. It is an NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) with the following specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 75V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 600mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100-300  
- **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz  
- **Package**: SOT-23  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier The part FMB2222A is manufactured by FAI (Firstronic Assembly Inc.). The specifications for FMB2222A include:  

- **Manufacturer:** FAI (Firstronic Assembly Inc.)  
- **Part Number:** FMB2222A  
- **Type:** Transistor (NPN)  
- **Package:** SOT-23  
- **Maximum Voltage (Vce):** 40V  
- **Maximum Current (Ic):** 600mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 350mW  
- **Gain (hFE):** 100-300  
- **Frequency (fT):** 250MHz  

These are the verified specifications from the manufacturer's datasheet. No additional interpretations or recommendations are provided.

NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier The FMB2222A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **FAIRCHILD Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Package:** TO-92  

### **Applications:**  
- Switching circuits  
- Amplification  
- General-purpose electronic circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise operating conditions, refer to the official FAIRCHILD documentation.