1000V, NPT Trench IGBT The FGA50N100BNTD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Voltage Rating (V_CES):** 1000V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 50A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package Type:** TO-3P (isolated tab)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This IGBT is designed for high-power switching applications such as motor drives, inverters, and industrial power systems.