FDT439N ,N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor ..
FDT439N ,N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor ..
FDT439N ,N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor ..
FDT439N ,N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor ..
FDT439N_NL ,N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor ..
FDT457N ,N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorElectrical Characteristics V = 10VV =3.5VGS8 4.0264.0 4.545.06.0DS(ON)7.0R , NOR ..
FS10KMJ-06 , MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS10KMJ-2 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10KMJ-3 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10UM-12 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10VS-10 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10VS-10 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FDT439N
N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
������� ��������� ������� ����������������������������������������������������������������� ������������������� �������� �������������������������������������������������������� � ( )�*��)+�, ��- �.�+ +/0�Ω 1�, �.�/ 0�, ������ �� �������������������������������������������������������� �����- �.�+ +02�Ω 1�, �.�3 0�, ����� ����� ��������� ����� ���������� ������ !���� ���� ������ �� ������������������������������������������������"����� ������ ������������ ���� ���!���� ��������� �#������� � ������#������������� ����������� � ������ ��������� ���� #���� ������� ��� ��# � 4������#����������������������������$����������� !�������� ��#� �������� ������������� ����� ��� ����$��% ��������� ��#��� ������������ $������� ��#���� ����#����������������������������%��� ������������������������������ ������������ � ��&������!����� � ’�����#���� � ���������!��� D D D D S S D G SOT-223* G S G G DS SOT-223 (J23Z) T = 25°C unless otherwise noted Absolute Maximum Ratings A Symbol Parameter FDT439N Units V Drain-Source Voltage 30 V DSS V Gate-Source Voltage 8V GSS ± I Drain Current - Continuous (Note 1a) 6.3 A D - Pulsed 20 P Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 3W D (Note 1b) 1.3 (Note 1c) 1.1 T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 C J stg ° Thermal Characteristics R Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 42 C/W JA ° θ R Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 12 C/W JC ° θ Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity FDT439N FDT439N 13’’ 12mm 2500 units ���������������������������������������� ���������������
