Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET The part **FDS9926A_NL** is a **dual N-channel PowerTrench MOSFET** manufactured by **Fairchild Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel  
- **Technology:** PowerTrench®  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.028Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 0.035Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per channel  
- **Package:** SOIC-8  

### **Features:**  
- Optimized for high-efficiency power management  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Fairchild datasheet.

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET# FDS9926A_NL Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FDS9926A_NL is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET specifically designed for high-efficiency power management applications. Its primary use cases include:

 Power Switching Circuits 
- DC-DC converters and voltage regulators
- Load switching in portable devices
- Motor control circuits
- Power management units (PMUs)

 Signal Path Applications 
- Level shifting circuits
- Analog signal switching
- Data line protection

### Industry Applications

 Consumer Electronics 
- Smartphones and tablets for battery management
- Laptop power distribution systems
- Portable gaming devices
- USB power delivery circuits

 Automotive Systems 
- Electronic control units (ECUs)
- Power window controllers
- Lighting control modules
- Infotainment system power management

 Industrial Equipment 
- PLC output modules
- Motor drive circuits
- Power supply units
- Industrial automation controllers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON) : Typically 25mΩ at VGS = 10V, enabling high efficiency
-  Fast Switching : Typical rise time of 15ns and fall time of 10ns
-  Dual Configuration : Two independent MOSFETs in single package saves board space
-  Low Gate Charge : 13nC typical, reducing drive requirements
-  Enhanced Thermal Performance : PowerTrench technology minimizes thermal resistance

 Limitations: 
-  Voltage Constraint : Maximum VDS of 30V limits high-voltage applications
-  Gate Sensitivity : Requires proper ESD protection during handling
-  Thermal Management : Maximum junction temperature of 150°C requires adequate cooling in high-power applications
-  Package Size : SO-8 package may not be suitable for space-constrained designs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive voltage leading to increased RDS(ON)
-  Solution : Ensure gate driver provides adequate voltage (typically 10V) and current capability

 Thermal Management 
-  Pitfall : Overheating due to inadequate heat dissipation
-  Solution : Implement proper PCB copper area and consider thermal vias for heat transfer

 ESD Protection 
-  Pitfall : Device failure due to electrostatic discharge
-  Solution : Incorporate ESD protection diodes and follow proper handling procedures

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility 
- Ensure gate driver ICs can supply sufficient current for fast switching
- Match driver output voltage to MOSFET gate threshold requirements

 Voltage Level Matching 
- Verify compatibility with microcontroller I/O voltages (3.3V/5V systems)
- Consider level shifting when interfacing with different voltage domains

 Parasitic Component Interactions 
- Be aware of parasitic capacitance and inductance in high-frequency applications
- Consider snubber circuits for ringing suppression

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Use wide traces for drain and source connections
- Minimize loop area in high-current paths
- Place decoupling capacitors close to device pins

 Thermal Management 
- Provide adequate copper area for heat sinking
- Use thermal vias under the device package
- Consider exposed pad connection to ground plane

 Signal Integrity 
- Keep gate drive traces short and direct
- Separate high-speed switching nodes from sensitive analog circuits
- Implement proper ground plane design

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Electrical Characteristics 
-  VDS : Drain-to-Source Voltage (30V maximum)
-  RDS(ON) : Static Drain-to-Source On-Resistance (25mΩ typical at VGS=10V)
-  ID : Continuous Drain Current (6.3A per MOSFET)
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