30V Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET The **FDS8962C** from Fairchild Semiconductor is a high-performance dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. This component integrates two MOSFETs in a compact SO-8 package, making it ideal for space-constrained designs while delivering low on-resistance and high switching speeds.  

With a **30V drain-source voltage (VDS) rating** and a continuous drain current (ID) of **6.5A per channel**, the FDS8962C is well-suited for DC-DC converters, motor control circuits, and load switching systems. Its advanced PowerTrench® technology ensures minimal conduction and switching losses, enhancing energy efficiency in power-sensitive applications.  

Key features include a **low RDS(ON) of 30mΩ (max) at VGS = 10V**, enabling reduced power dissipation, and a **fast switching performance** that supports high-frequency operation. The device also offers robust thermal characteristics, ensuring reliable operation under demanding conditions.  

Engineers favor the FDS8962C for its balance of performance, compact footprint, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, consumer electronics, or automotive systems, this MOSFET provides a dependable solution for power conversion and control tasks. Its dual-channel configuration further simplifies circuit design, reducing component count and board space requirements.

30V Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET # Introduction to the FDS8962C Dual N-Channel MOSFET  

The FDS8962C from Fairchild Semiconductor is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications. This component integrates two low-on-resistance (R_DS(on)) MOSFETs in a compact SO-8 package, making it suitable for space-constrained designs requiring efficient power switching.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of 30V and continuous drain current (I_D) of up to 8A per channel, the FDS8962C is well-suited for DC-DC converters, load switching, and motor control circuits. Its low gate charge (Q_G) and fast switching characteristics enhance efficiency in high-frequency applications while minimizing power losses.  

The device features a logic-level gate drive, enabling compatibility with 5V microcontroller interfaces without additional level-shifting circuitry. Additionally, its robust thermal performance ensures reliable operation under demanding conditions.  

Engineers often select the FDS8962C for its balance of performance, size, and cost-effectiveness, making it a versatile choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications. Its dual-channel configuration further simplifies board layout by reducing component count compared to discrete MOSFET solutions.  

For detailed specifications, refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into your design.