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FDS7288N3 from FAIRCHILD,Fairchild Semiconductor

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FDS7288N3

Manufacturer: FAIRCHILD

30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDS7288N3 FAIRCHILD 1154 In Stock

Description and Introduction

30V N-Channel PowerTrench MOSFET The FDS7288N3 is a dual N-channel PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 12A per MOSFET (at TC = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 48A  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W per MOSFET (at TC = 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 8.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg)**: 30nC (typical) at VDS = 15V, VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 2200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 700pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 10ns (typical)  
- **Rise Time (tr)**: 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 40ns (typical)  
- **Fall Time (tf)**: 20ns (typical)  
- **Package**: SO-8  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FDS7288N3.

Application Scenarios & Design Considerations

30V N-Channel PowerTrench MOSFET# FDS7288N3 Technical Documentation

 Manufacturer : FAIRCHILD

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FDS7288N3 is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET specifically designed for high-efficiency power management applications. Typical implementations include:

 Primary Applications: 
- Synchronous buck converter circuits (particularly in multi-phase configurations)
- DC-DC conversion stages in computing systems
- Motor drive and control circuits
- Power management in portable electronic devices
- Battery protection and charging circuits

 Circuit Configurations: 
- High-side and low-side switching pairs in bridge topologies
- Parallel operation for increased current handling capability
- Load switching in power distribution systems

### Industry Applications
 Computing & Servers: 
- CPU/GPU voltage regulator modules (VRMs)
- Server power supply units
- Motherboard power delivery networks

 Consumer Electronics: 
- Laptop power management
- Gaming console power systems
- High-end audio amplifiers

 Industrial Systems: 
- Industrial motor drives
- Power tools
- Robotics control systems

 Automotive: 
- DC-DC converters in electric vehicles
- Battery management systems
- Power window/lock controllers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON) : Typically 3.5mΩ at VGS = 10V, enabling high efficiency
-  Fast Switching : Optimized for high-frequency operation (up to 500kHz)
-  Thermal Performance : Excellent power dissipation capability
-  Dual Configuration : Space-saving package for compact designs
-  Avalanche Energy Rated : Robust against voltage transients

 Limitations: 
-  Gate Charge Sensitivity : Requires careful gate drive design
-  Thermal Management : May require heatsinking in high-current applications
-  Voltage Constraints : Limited to 30V maximum VDS
-  Parasitic Capacitance : Can affect high-frequency performance

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues: 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and increased losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs capable of 2-4A peak current
-  Pitfall : Excessive gate ringing due to layout inductance
-  Solution : Implement tight gate loop with minimal trace length

 Thermal Management: 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Calculate thermal impedance and provide sufficient copper area
-  Pitfall : Poor thermal coupling between dual MOSFETs
-  Solution : Use thermal vias and consider external heatsinks for high-power applications

 Parasitic Oscillations: 
-  Pitfall : Uncontrolled oscillations during switching transitions
-  Solution : Implement proper gate resistors (2-10Ω typically)

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers: 
- Compatible with most industry-standard MOSFET drivers (IR2110, TPS28225, etc.)
- Requires drivers with adequate voltage range (up to 12V VGS)
- Ensure driver can handle the total gate charge (typically 60nC)

 Controller ICs: 
- Works well with PWM controllers from TI, Analog Devices, Maxim
- Compatible with voltage-mode and current-mode controllers
- May require bootstrap circuits for high-side operation

 Passive Components: 
- Input/output capacitors must handle high ripple currents
- Inductors should be selected based on switching frequency and current requirements

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout: 
- Use wide, short traces for drain and source connections
- Minimize loop area in high-current paths
- Place input/output capacitors close to MOSFET terminals

 Gate Drive Layout: 
- Keep gate drive traces short and direct
- Route gate traces away from switching

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