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FDS6984AS from FAI,Fairchild Semiconductor

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FDS6984AS

Manufacturer: FAI

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDS6984AS FAI 1247 In Stock

Description and Introduction

The part FDS6984AS is manufactured by Fairchild Semiconductor (FAI). It is a dual N-channel PowerTrench MOSFET designed for high-efficiency power conversion applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A per channel  
- **RDS(ON) (Max):** 13mΩ at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** SOIC-8  

The device is optimized for synchronous buck converters, DC-DC applications, and motor control circuits.

Application Scenarios & Design Considerations

# FDS6984AS Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FDS6984AS is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET configured in a single package, making it ideal for various power management applications:

 Primary Applications: 
-  DC-DC Converters : Synchronous buck converters for voltage regulation
-  Power Management Systems : Load switching and power distribution
-  Motor Control : H-bridge configurations for DC motor control
-  Battery Protection : Reverse polarity protection and discharge control
-  Voltage Regulation : Switching regulators in power supplies

### Industry Applications
 Consumer Electronics 
- Laptop computers and tablets
- Smartphones and portable devices
- Gaming consoles and peripherals
- Power banks and battery management systems

 Industrial Systems 
- Industrial automation equipment
- Robotics and motion control systems
- Power tools and motor drives
- Test and measurement equipment

 Automotive Electronics 
- Infotainment systems
- Power window controls
- LED lighting drivers
- DC-DC converters for automotive power systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Efficiency : Low RDS(ON) (typically 9.5mΩ at VGS = 10V) reduces conduction losses
-  Compact Design : Dual MOSFET in SO-8 package saves board space
-  Fast Switching : Optimized for high-frequency operation (up to 1MHz)
-  Thermal Performance : Good power dissipation capability
-  Reliability : Robust construction with ESD protection

 Limitations: 
-  Voltage Constraint : Maximum VDS of 30V limits high-voltage applications
-  Current Handling : Continuous drain current limited to 9.5A per MOSFET
-  Thermal Considerations : Requires proper heat sinking for high-power applications
-  Gate Drive Requirements : Needs adequate gate drive circuitry for optimal performance

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and increased losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs with adequate current capability (2-4A peak)

 Thermal Management 
-  Pitfall : Overheating due to inadequate thermal design
-  Solution : Implement proper PCB copper area and consider thermal vias

 Layout Problems 
-  Pitfall : Long gate traces causing ringing and EMI issues
-  Solution : Keep gate drive loops tight and use proper decoupling

### Compatibility Issues

 Gate Driver Compatibility 
- Compatible with most standard gate driver ICs (TC442x, UCC2751x series)
- Ensure driver output voltage matches MOSFET VGS requirements

 Controller Integration 
- Works well with common PWM controllers (LM511x, TPS40k series)
- Verify timing requirements match controller capabilities

 Voltage Level Matching 
- Ensure system voltage does not exceed 30V absolute maximum rating
- Consider voltage transients and spikes in automotive applications

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Use wide traces for drain and source connections
- Minimize loop area in high-current paths
- Implement adequate copper area for heat dissipation

 Gate Drive Circuit 
- Place gate resistors close to MOSFET gates
- Use separate ground returns for gate drive and power circuits
- Implement Kelvin connections for accurate gate control

 Thermal Management 
- Use thermal vias under the package for heat transfer
- Provide sufficient copper area (≥ 1 in² per MOSFET)
- Consider external heat sinking for high-power applications

 Decoupling Strategy 
- Place 0.1μF ceramic capacitors close to package
- Add bulk capacitance (10-100μF) near power input
- Use low-ESR capacitors for high-frequency operation

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 

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