Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET The part **FDS6898AZ** is manufactured by **FAIRCHILD** (Fairchild Semiconductor).  

### Key Specifications:  
- **Type**: Dual N-Channel Logic Level MOSFET  
- **Package**: SOIC-8  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 6.5A  
- **Power Dissipation (PD)**: 2W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 28mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power management applications.  

*(Note: Always verify with the latest datasheet for accuracy.)*

Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET The part FDS6898AZ is manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). 

Key FAI (First Article Inspection) specifications for FDS6898AZ include:
- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V
- **Current Rating (ID)**: 9.7A (continuous)
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W
- **RDS(ON)**: 0.022Ω (max) at VGS = 10V
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V to 2.5V
- **Package**: SOIC-8

These specifications are critical for FAI to ensure compliance with design and performance requirements.

Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET The part FDS6898AZ is manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). It is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A per channel  
- **Power Dissipation (PD):** 2W per channel  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 12mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Package:** SOIC-8  

These details are sourced from Fairchild Semiconductor's official documentation. No additional guidance or suggestions are provided.