Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET The part FDS6892 is a dual N-channel PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor.  

**Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **R_DS(ON) (Max):** 25mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per channel  
- **Package:** SOIC-8  

**Features:**  
- Optimized for high-efficiency power management  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics, refer to Fairchild's official datasheet.

Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDS6892 by Fairchild Semiconductor**  

The FDS6892 is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET developed by Fairchild Semiconductor, designed to deliver efficient power management in a compact package. This component is well-suited for applications requiring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, making it ideal for DC-DC converters, load switches, and power supply circuits.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 9.5A, the FDS6892 balances power handling with thermal efficiency. Its advanced PowerTrench® technology minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency in high-frequency switching environments. The MOSFET also features a low gate charge (Qg), reducing drive requirements and improving overall system performance.  

Packaged in a space-saving SO-8 form factor, the FDS6892 is suitable for modern electronics where board space is constrained. Its robust design ensures reliability in demanding applications, from industrial systems to consumer electronics.  

Engineers and designers will appreciate the FDS6892 for its combination of performance, efficiency, and compact footprint, making it a versatile choice for power management solutions.