30V N-Channel PowerTrench SyncFET The **FDS6688S** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component features a low **on-resistance (RDS(on))** and high current-handling capability, making it suitable for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

With a **30V drain-to-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **13A**, the FDS6688S ensures reliable operation in demanding environments. Its advanced **PowerTrench® technology** minimizes conduction and switching losses, enhancing overall energy efficiency. Additionally, the MOSFET is housed in a compact **SO-8 package**, providing a balance between thermal performance and space-saving design.  

Key features include **fast switching speeds**, a **low gate charge (Qg)**, and **ESD protection**, which contribute to improved system reliability. The FDS6688S is ideal for applications requiring high power density and thermal stability, such as **battery management systems, load switches, and portable electronics**.  

Engineers and designers seeking a robust, high-efficiency MOSFET for low-voltage applications will find the FDS6688S to be a dependable choice, combining performance with durability.

30V N-Channel PowerTrench SyncFET The part FDS6688S is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**Key FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
1. **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
2. **Type:** P-Channel MOSFET  
3. **Package:** SO-8  
4. **Voltage Rating (VDS):** -30V  
5. **Current Rating (ID):** -12A  
6. **RDS(ON) (Max):** 9.5mΩ @ VGS = -10V  
7. **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
8. **Power Dissipation (PD):** 2.5W  

These are the factual specifications for the FDS6688S MOSFET as per the manufacturer's datasheet.