FDS5680 ,60V N-Channel PowerTrench TM MOSFET ..
FDS5680_NL ,Single N-Channel PowerTrench MOSFET ..
FDS5690 ,60V N-Channel PowerTrench MOSFETFeaturesThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild 7 A, 60 V. R = 0.028 Ω @ V = 10 VDS(on) ..
FDS5690_NL ,N-Channel PowerTrench MOSFETApplications High power and current handling capability.• DC/DC converter Motor drivesD54DD6 3D7 ..
FDS6064N3 ,20V N-Channel PowerTrench MOSFETApplications • High power and current handling capability • Synchronous rectifier • DC/DC converter ..
FDS6064N7 ,20V N-Channel PowerTrench MOSFETApplications • High power and current handling capability • Synchronous rectifier • DC/DC converter ..
FQD7N10L ,100V LOGIC N-Channel MOSFETapplications such as highdirect operation from logic drivesefficiency switching DC/DC converters, a ..
FQD7N20L ,200V LOGIC N-Channel MOSFETFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.5A, 200V, R = 0.75Ω @V = 10 VDS(on) ..
FQD7P06 ,60V P-Channel MOSFETFeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect • -5.4A, -60V, R = 0.45Ω @V = -10 VDS(o ..
FQD7P06TM ,60V P-Channel QFETFQD7P06 / FQU7P06May 2001TMQFETFQD7P06 / FQU7P0660V P-Channel MOSFET
FQD7P20TM ,200V P-Channel QFET
FQD8N25 ,250V N-Channel MOSFETFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 6.2A, 250V, R = 0.55Ω @V = 10 VDS(on) ..
FDS5680
60V N-Channel PowerTrench TM MOSFET
������� ��������� ������� �� ������������������������� ������� ������������������� �������� ������������������������������������������������� � (�)*�+,�-#�. �/�,#,0,�Ω 1�- �/�2,�- ������ �� ������������������������������������������������� ����������������. �/�,#,03�Ω 1�- �/�+�-# ������ �� ������������������ �������������������!���������� ��������������� ������������������������������ � ’���������������45,���� �����6# ���"�������# � ��������������������# ������������������������������"������������������������� ����������������������������������������������������� ���7�������"������������������������ �"����8������ "��������������������$�����# ��������. # ������ ������������ � 7���������������������������������������� # � %�&%����������� � ’���������� � ������������ D D 5 4 D D 6 3 7 2 G S 1 8 S SO-8 S Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted A Symbol Parameter Ratings Units V Drain-Source Voltage 60 V DSS V Gate-Source Voltage V GSS ±20 I Drain Current - Continuous (Note 1a) 8A D - Pulsed 50 P Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 2.5 W D (Note 1b) 1.2 (Note 1c) 1 T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 J stg °C Thermal Characteristics R Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 50 °C/W JA θ Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 25 R °C/W JC θ Package Outlines and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity FDS5680 FDS5680 13’’ 12mm 2500 units ���������������������������������������� ���������������
