FDS5670_NL ,60V N-Channel PowerTrench MOSFET ..
FDS5672 ,60V N-Channel PowerTrench?MOSFETApplications DC/DC convertersBranding Dash5 46 3517 2238 14SO-82005 Fairchild Semiconductor Corpor ..
FDS5680 ,60V N-Channel PowerTrench TM MOSFET ..
FDS5680_NL ,Single N-Channel PowerTrench MOSFET ..
FDS5690 ,60V N-Channel PowerTrench MOSFETFeaturesThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild 7 A, 60 V. R = 0.028 Ω @ V = 10 VDS(on) ..
FDS5690_NL ,N-Channel PowerTrench MOSFETApplications High power and current handling capability.• DC/DC converter Motor drivesD54DD6 3D7 ..
FQD6P25 ,250V P-Channel MOSFETFeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.7A, -250V, R = 1.1Ω @V = -10 VDS(o ..
FQD6P25TF ,250V P-Channel QFETFeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.7A, -250V, R = 1.1Ω @V = -10 VDS(o ..
FQD6P25TF ,250V P-Channel QFETFeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.7A, -250V, R = 1.1Ω @V = -10 VDS(o ..
FQD6P25TM ,250V P-Channel QFETApril 2000TMQFET QFET QFET QFETFQD6P25 / FQU6P25250V P-Channel MOSFET
FQD7N10L ,100V LOGIC N-Channel MOSFETapplications such as highdirect operation from logic drivesefficiency switching DC/DC converters, a ..
FQD7N20L ,200V LOGIC N-Channel MOSFETFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.5A, 200V, R = 0.75Ω @V = 10 VDS(on) ..
FDS5670
60V N-Channel PowerTrench TM MOSFET
������� ����������� ������� �� ������������������������� ������� ������������������� �������� ���������������������������������������������������� � *+�,)�-+�.$�% �/�+$+*0�Ω 1�. �/�*+�. ������ �� ������������������������������������������������������ ���� ������������������% �/�+$+*2�Ω 1�. �/�-�.$ ������ �� ���������������� �������������������!��������"#� �����������$ � 3�!������������$ ������������������ �����������!��������������!������� ��������������������������!���������������% � ������!�������������$ ������ ��������������$ � 4���������������������������������������5������� ��!�% $ ������� ���������������������������������������������� ������ &���������������������’ ������()�������������!���� ���� � 4������!�������� �������������������������$ ��������!�����������������������������$ D D 5 4 D D 6 3 7 2 G S 1 8 S SO-8 S Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted A Symbol Parameter Ratings Units V Drain-Source Voltage 60 V DSS V Gate-Source Voltage V GSS ±20 I Drain Current - Continuous (Note 1a) 10 A D - Pulsed 50 P Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 2.5 W D (Note 1b) 1.2 (Note 1c) 1 T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 °C J stg Thermal Characteristics Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 50 R °C/W JA θ Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 25 R °C/W JC θ Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity FDS5670 FDS5670 13’’ 12mm 2500 units ���������������������������������������� ��������������
