FDS4435A ,P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETOctober 2001
FDS4435A
P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
�������� October 2001 �������� â P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET ������������������� �������� +�!,��-�������"������!������.�"��/0123+�!,� ��()��(�),!�� ����������������� �������������� �������� ������ �� 2�!���!"(�1�&!���()����4,��(.����(�-����+������ ����,, ����� �������������� ��������� ������ �� �������,�*�����, ��!�""����!"���(����&!�!&!5���������,���� ��,!,��������(�����&�!���!��"���������������%���,) ��!�� � ������������������������ !��"#� ,�!���!��� ��%��&����� ���$!��� ��%��&������������������"����%����’���&�"� +��,��(�.!��,�������""�,)!��(�%�������*��6���& )����� "!� ����"���� � ������ ���!��,7�"��(�,�!���!�����(� �����&�����&�����*������ � $!��� �������(��)���������("!����� �*!"!��� �����!����!��)!�,����(�8�98�����.��,!��� D D 5 4 D D 6 3 7 2 G S 8 1 S SO-8 S Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted A Symbol Parameter Ratings Units V Drain-Source Voltage -30 V DSS V Gate-Source Voltage V GSS ± 20 I Drain Current - Continuous (Note 1a) -9 A D - Pulsed -50 P Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 2.5 W D (Note 1b) 1.2 (Note 1c) 1 Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 ° T , T C J stg Thermal Characteristics R Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 50 °C/W JA θ Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 25 R °C/W JC θ Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity FDS4435A FDS4435A 13’’ 12mm 2500 units �2001������������������������������������ ��������������� D
