20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDR8702H Power MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FDR8702H is a high-performance N-channel Power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor to deliver efficient power management in a wide range of applications. Featuring advanced trench technology, this component offers low on-resistance (RDS(on)) and high switching speeds, making it ideal for power conversion, motor control, and load switching circuits.  

With a voltage rating of 30V and a continuous drain current capability of up to 40A, the FDR8702H ensures robust performance in demanding environments. Its compact D2PAK (TO-263) package provides excellent thermal dissipation, enhancing reliability under high-power conditions. Additionally, the MOSFET's low gate charge minimizes switching losses, improving overall system efficiency.  

Engineers often select the FDR8702H for its balance of performance and durability, particularly in applications such as DC-DC converters, battery management systems, and automotive electronics. Fairchild Semiconductor's commitment to quality ensures that this component meets stringent industry standards for both commercial and industrial use.  

For designers seeking a reliable, high-efficiency power switching solution, the FDR8702H presents a strong option, combining advanced semiconductor technology with practical thermal and electrical characteristics.

20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET The part FDR8702H is manufactured by FAIRCHILD. It is a dual N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. Key specifications include:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 8.7A  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.028Ω at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W  
- **Package**: SOIC-8  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, and motor control applications.