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FDR6580 from FSC,Fairchild Semiconductor

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FDR6580

Manufacturer: FSC

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDR6580 FSC 2140 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDR6580 by Fairchild Semiconductor**  

The FDR6580 is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a variety of electronic applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, making it suitable for power supply circuits, DC-DC converters, and motor control systems.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 20A, the FDR6580 ensures reliable operation in demanding environments. Its compact Power-56 package enhances thermal performance while maintaining a small footprint, ideal for space-constrained designs.  

Key advantages of the FDR6580 include improved efficiency, reduced power losses, and enhanced thermal stability. These characteristics make it a preferred choice for designers seeking high power density and energy efficiency in modern electronics.  

Fairchild Semiconductor's commitment to quality ensures that the FDR6580 meets rigorous industry standards, providing dependable performance in both industrial and consumer applications. Whether used in battery management systems or load-switching circuits, this MOSFET delivers consistent and robust operation.  

For engineers and developers, the FDR6580 represents a reliable solution for optimizing power efficiency while maintaining cost-effectiveness in circuit design.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET# FDR6580 N-Channel Power MOSFET Technical Documentation

*Manufacturer: FSC (Fairchild Semiconductor)*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FDR6580 is a high-performance N-Channel Power MOSFET designed for demanding power management applications. Its primary use cases include:

 Power Switching Applications 
- DC-DC converters in computing systems
- Motor drive circuits for industrial automation
- Power supply switching in telecom infrastructure
- Battery management systems in portable electronics

 Load Switching Applications 
- High-current load switching in automotive systems
- Power distribution in server farms
- UPS (Uninterruptible Power Supply) systems
- Industrial control systems requiring robust switching capabilities

### Industry Applications

 Computing & Data Centers 
- Server power supplies and VRM (Voltage Regulator Modules)
- GPU power delivery circuits
- High-current DC-DC conversion in blade servers

 Automotive Electronics 
- Electric power steering systems
- Battery management and charging systems
- LED lighting drivers and power control
- Electric vehicle power distribution

 Industrial Automation 
- PLC (Programmable Logic Controller) power stages
- Motor drives and motion control systems
- Robotic arm power management
- Industrial UPS and power backup systems

 Telecommunications 
- Base station power amplifiers
- Network equipment power supplies
- RF power amplification stages
- Telecom backup power systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON) : Typically 2.8mΩ at VGS = 10V, enabling high efficiency
-  Fast Switching Speed : Reduced switching losses in high-frequency applications
-  High Current Handling : Continuous drain current up to 100A
-  Robust Thermal Performance : Low thermal resistance for improved power dissipation
-  Avalanche Energy Rated : Enhanced reliability in inductive load applications

 Limitations: 
-  Gate Charge Sensitivity : Requires careful gate drive design to prevent shoot-through
-  Thermal Management : Demands adequate heatsinking at maximum current ratings
-  Voltage Limitations : Maximum VDS of 30V restricts use in high-voltage applications
-  ESD Sensitivity : Requires proper ESD protection during handling and assembly

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Inadequate gate drive current leading to slow switching and increased losses
-  Solution : Implement dedicated gate driver IC with peak current capability >2A
-  Pitfall : Excessive gate ringing causing false triggering
-  Solution : Use series gate resistor (2-10Ω) and proper PCB layout techniques

 Thermal Management Problems 
-  Pitfall : Insufficient heatsinking causing thermal runaway
-  Solution : Calculate thermal requirements using θJA and provide adequate cooling
-  Pitfall : Poor thermal interface material application
-  Solution : Use high-quality thermal pads or thermal grease with proper mounting pressure

 Parasitic Oscillations 
-  Pitfall : Layout-induced parasitic oscillations in high-frequency circuits
-  Solution : Minimize loop areas and use proper decoupling capacitor placement

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility 
- Ensure gate driver voltage (VGS) does not exceed maximum rating of ±20V
- Match gate driver output impedance to MOSFET input capacitance for optimal performance
- Verify compatibility with PWM controller timing requirements

 Protection Circuit Integration 
- Coordinate with overcurrent protection circuits to prevent false triggering
- Ensure compatibility with temperature sensing circuits for thermal protection
- Verify synchronization with soft-start circuits to limit inrush current

 Passive Component Selection 
- Select bootstrap capacitors with adequate voltage rating and low ESR
- Choose snubber components based on switching frequency and circuit topology
- Verify inductor saturation current exceeds peak operating currents

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Use wide,

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