FDP7045L ,N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET ..
FDP75N08 , 75V N-Channel MOSFET
FDP7N50 ,N-Channel UniFET?MOSFET 500V, 7A, 900 m?Applicationslamp ballasts.• ALCD/LED TV• Lighting• Uninterruptible Power Supply• AC-DC Power Supply ..
FDP8447L ,40V N-Channel PowerTrench?MOSFETApplications Inverter Power SuppliesDGGDSTO-220FDP SeriesSMOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless ..
FDP8860 ,30V N-Channel PowerTrench?MOSFETGeneral Description Max r = 2.5mΩ at V = 10V, I = 80AThis N-Channel MOSFET has been designed speci ..
FDP8870 ,30V N-Channel PowerTrench MOSFETFeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to r = 4.1mΩ , V = 10V, I = 35ADS(ON) ..
FQA70N08 ,80V N-Channel MOSFETapplications such as automotive, highefficiency switching for DC/DC converters, and DC motorcontrol ..
FQA70N10 ,100V N-Channel MOSFETapplications such as audio amplifier,high efficiency switching DC/DC converters, and DC motorcontro ..
FQA7N60 ,600V N-Channel MOSFETFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.7A, 600V, R = 1.0Ω @V = 10 VDS(on) ..
FQA7N80C ,800V N-Channel Advance Q-FET C-SeriesFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 800V, R = 1.9Ω @V = 10 VDS(on) ..
FQA7N90 ,900V N-Channel MOSFETFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 7.4A, 900V, R = 1.55Ω @V = 10 VDS(on) ..
FQA7N90 ,900V N-Channel MOSFETFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 7.4A, 900V, R = 1.55Ω @V = 10 VDS(on) ..
FDP7045L
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
����������������� ������������ ����������������� � ��������������������������������� ������� ������������������� �������� ’ ())�*+�,)�-% & �.�)%))/0���1�- �.�()�- ��������������������������������������������������� ������ �� & �.�)%))2���1�- �.�/%0�-% ���������������������������������������������������� �� ������ �� ����������� !����� ������� ���������!�� ��� ������������ ’��������������������������������������������������������� �"��������#$�������������% �����������!��% ������������������!�����������"��������������"������� ’��&!����������������!��������������������������������� ������� ����� ������ �������� "���� ����������� & ������ ����������������3�������4����������������������!��������% ������������������!����������� �����"����!������������ "�����������������������������% ’��5����������������#�"����������������������� �����3�����������"�& % ������ ’��(60�����3��!��7!���������������!���������% D D G G G TO-220 D FDP Series S TO-263AB S S FDB Series T = 25°C unless otherwise noted Absolute Maximum Ratings C Symbol Parameter FDP7045L FDB7045L Units V Drain-Source Voltage 30 V DSS V Gate-Source Voltage 20 V GSS ± I Maximum Drain Current - Continuous (Note 1) 100 A D 75 - Pulsed (Note 1) 300 P Total Power Dissipation @ T = 25 C 125 W D C ° Derate above 25C0.85 W/ C ° ° C T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -65 to +175 ° J STG Thermal Characteristics R Thermal Resistance, Junction-to-Case 1.2 C/W JC ° θ R Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 62.5 C/W JA ° θ Package Outlines and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity FDB7045L FDB7045L 13’’ 24mm 800 FDP7045L FDP7045L Tube N/A 45 ��������������������������������� ������� �����������������������
