FDP5680 ,60V N-Channel PowerTrench TM MOSFET July 2000 ..
FDP5690 ,60V N-Channel PowerTrench TM MOSFETFDP5690/FDB5690July 2000FDP5690/FDB5690TM60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP5690 ,60V N-Channel PowerTrench TM MOSFETFeatures• 32 A, 60 V. R = 0.027 Ω @ V = 10 VDS(ON) GSThis N-Channel MOSFET has been designed specif ..
FDP6030BL ,N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETFeatures• 40 A, 30 V. R = 0.018 Ω @ V = 10 VThis N-Channel Logic Level MOSFET has been designedDS(O ..
FDP6030L ,N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description
FDP6035AL ,N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFETJuly 1998 FDP6035AL/FDB6035AL TM N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FQA24N50F ,500V N-Channel MOSFETFQA24N50FSeptember 2001TMFRFETFQA24N50F500V N-Channel MOSFET
FQA24N60 ,600V N-Channel MOSFETFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 23.5A, 600V, R = 0.24 Ω @ V = 10 VDS( ..
FQA24N60 ,600V N-Channel MOSFETApril 2000TMQFET QFET QFET QFETFQA24N60600V N-Channel MOSFET
FQA26N30 ,300V N-Channel MOSFET
FQA27N25 ,250V N-Channel MOSFET
FQA27N25 ,250V N-Channel MOSFET
FDP5680
60V N-Channel PowerTrench TM MOSFET
��������������� July 2000 ��������������� �� ������������������������� ������ ������������������� �������� � ������������� ���������Ω ��� ������� ������ �� -$���.#�$�!!���/0123-�$���4��!����� !��������������( ���� ���������Ω ��� ������� ������ �� �"�����"����$��"��������������!�(�"����5����"!������� ���! ����$����(!�$�"!"���"���"!��!��"!����)���$�! �67/ ���������������������������������������������������������� �"!��"������ ��������������� -$����/0123-������������������)���$�! ��!���")��� ��� ����� ����!���!����"����#����!���"�����!������!�����$� �$�� ���$�!�"�$���/0123-��)��$��"�����4���� ���!�����"���!��%���!���&�!�����"������!���!����������"�� ������ �����������"!���������! ��!���5����")��������(����� !� )��$�$� $���"��������������!�(� ���’� $�����"���!������!�����$!"�" (��"� �����%������(���")�� � ������ ����*+°����%�����,�!���"!�����������������! � D D G G G TO-220 D FDP Series S TO-263AB S S FDB Series Absolute Maximum Ratings T unl 25°Ci =ess otherwse noted C FDP5680 FDB5680 Symbol Parameter Units Vc VlteoVS Vc VlteoVGSS ± I - Contiimmu xaMAD -d Pulse210 PWDesisil Pwao =5 2 °CC 43 Derat °CW/ °C T, Ttiti o°CJGST Thermal Characteristics Re Rsiest Jti.32°Wθ m Rsiiest Jtbi.5R°Wθ Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity 13’’ 24mm 800 FDP5680 FDP5680 Tube N/A 45 2000 Fairchild Semiconductor InternationalFDP5680/FDB5680 Rev. C FDB5680FDB5680 JA C/ 62uncon-tance,Thermo-Aental JC C/uncon-tance,Thermo-Casal +175-65 tOperatand Sorage Jng uncon Temperature Range e above 25 0. Totpatr Dion @ T 65 40Drain Currentnuous 20 Gate-Sageour DS 60Drain-Sageour
