30V N-Channel Logic Level PowerTrench?MOSFET The part **FDN359BN** is a **N-channel MOSFET** manufactured by **ON Semiconductor**. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2.7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.6W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (typical)  
- **Package**: SOT-23  

This MOSFET is commonly used in **switching applications, power management, and load control circuits**.  

(Source: ON Semiconductor datasheet for FDN359BN.)

30V N-Channel Logic Level PowerTrench?MOSFET The FDN359BN is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.25W  
- **R_DS(on) (Max)**: 85mΩ at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: SOT-23 (3-pin)  

These are the factual specifications as provided by Fairchild Semiconductor.