N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor The part FDN357N is manufactured by ON Semiconductor. It is a P-Channel Logic Level MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.4A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.6W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 70mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2V  
- **Package**: SOT-23  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.