P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDN338P_NL is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -2.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -10A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ at V_GS = -10V, I_D = -2.7A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2V  
- **Package**: SOT-23 (3-Lead)  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FDN338P_NL.

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDN338P_NL is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: P-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -2.6A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.6W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ at V_GS = -10V, I_D = -2.6A
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2V
- **Package**: SOT-23 (3-pin)

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDN338P_NL.

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDN338P_NL is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Type**: P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -2.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -10A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.6W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -2.7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2.5V  
- **Package**: SOT-23 (3-Lead)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.