60V N-Channel UltraFET Trench MOSFET The **FDMS5672** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. This component features low on-resistance (RDS(on)) and high current handling capabilities, making it well-suited for switching power supplies, DC-DC converters, and motor control circuits.  

Built with advanced trench technology, the FDMS5672 ensures minimal conduction and switching losses, enhancing overall system efficiency. Its compact package design allows for improved thermal performance and space-saving integration in modern electronic designs. The MOSFET is also optimized for fast switching speeds, reducing power dissipation in high-frequency applications.  

With a robust voltage rating and reliable performance under demanding conditions, the FDMS5672 is a dependable choice for engineers seeking a balance between power efficiency and thermal stability. Its design considerations include reduced gate charge and improved avalanche energy tolerance, contributing to longer operational lifespans in challenging environments.  

Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, the FDMS5672 delivers consistent performance, making it a versatile solution for power conversion and control applications. Its combination of efficiency, durability, and compact form factor positions it as a competitive option in the power semiconductor market.

60V N-Channel UltraFET Trench MOSFET The **FDMS5672** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, making it an excellent choice for power conversion, motor control, and load switching circuits.  

With a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **75A**, the FDMS5672 delivers robust performance in compact designs. Its advanced PowerTrench® technology ensures reduced conduction and switching losses, enhancing overall system efficiency. The MOSFET also features a low gate charge (Qg), which minimizes drive requirements and improves thermal performance.  

Packaged in a **5x6mm Power56® outline**, the FDMS5672 offers a space-saving solution without compromising power handling capabilities. Its superior thermal characteristics and high current capacity make it suitable for demanding applications in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Engineers seeking a reliable, high-efficiency MOSFET for power management will find the FDMS5672 to be a well-balanced component, combining performance, thermal stability, and compact design. Its technical specifications align with modern power electronics requirements, ensuring dependable operation in high-current environments.

60V N-Channel UltraFET Trench MOSFET The part FDMS5672 is manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PowerTrench® MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 50A (continuous)  
- **RDS(ON):** 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** Power56 (5x6mm)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power management applications, including DC-DC converters and motor control.  

(Note: Verify with the latest datasheet for updated specifications, as Fairchild products are now under ON Semiconductor.)