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FDMC7672S from FAIRCHILD,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

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FDMC7672S

Manufacturer: FAIRCHILD

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDMC7672S FAIRCHILD 11700 In Stock

Description and Introduction

The FDMC7672S is a PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Technology**: PowerTrench  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 23A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 92A  
- **RDS(ON) (Max)**: 5.3mΩ at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Total Gate Charge (QG)**: 25nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD)**: 3.1W  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: Power33 (3.3mm x 3.3mm DFN)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power management applications.

Application Scenarios & Design Considerations

# FDMC7672S Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FDMC7672S is a PowerTrench® MOSFET optimized for high-efficiency power conversion applications. Typical implementations include:

 DC-DC Converters 
- Synchronous buck converters for CPU/GPU core voltage regulation
- Point-of-load (POL) converters in distributed power architectures
- Voltage regulator modules (VRMs) for server and computing applications

 Power Management Systems 
- Battery protection circuits in portable electronics
- Power switching in automotive electronic control units
- Hot-swap controllers and power distribution systems

 Motor Control Applications 
- Brushless DC motor drivers for industrial automation
- Stepper motor controllers in precision equipment
- Automotive motor drives (window lifts, seat controls)

### Industry Applications

 Computing & Data Centers 
- Server power supplies and motherboard VRMs
- Storage system power management (SSD, HDD)
- Network equipment power distribution

 Consumer Electronics 
- Smartphone and tablet power management ICs
- Gaming console power delivery systems
- LCD/LED display backlight drivers

 Automotive Systems 
- 12V/48V automotive power networks
- Advanced driver assistance systems (ADAS)
- Infotainment and comfort control modules

 Industrial Equipment 
- Programmable logic controller (PLC) power sections
- Industrial motor drives and actuators
- Test and measurement equipment power supplies

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON) : 2.1mΩ typical at VGS = 10V enables high efficiency operation
-  Fast Switching : Typical switching times of 15ns reduce switching losses
-  Thermal Performance : Low thermal resistance (40°C/W) supports high power density designs
-  Avalanche Rated : Robustness against voltage transients and inductive spikes
-  Logic Level Compatible : VGS(th) of 1.0-2.0V enables direct microcontroller interface

 Limitations: 
-  Gate Charge Sensitivity : High Qg (45nC typical) requires careful gate driver selection
-  Voltage Constraints : Maximum VDS of 30V limits high-voltage applications
-  Thermal Management : Requires proper heatsinking for continuous high-current operation
-  ESD Sensitivity : Standard ESD handling precautions required during assembly

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and excessive losses
-  Solution : Use dedicated gate drivers capable of 2-3A peak current with proper bypass capacitors

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway and premature failure
-  Solution : Implement thermal vias, proper copper area, and consider forced air cooling for high current applications

 Layout-Induced Problems 
-  Pitfall : Excessive parasitic inductance causing voltage spikes and ringing
-  Solution : Minimize loop areas, use ground planes, and implement snubber circuits where necessary

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers 
- Compatible with most modern MOSFET drivers (TPS2828, LM5113, IR2110 series)
- Avoid drivers with insufficient current capability (<1A peak)
- Ensure driver supply voltage matches FDMC7672S VGS requirements

 Controller ICs 
- Works well with popular PWM controllers (UC384x, LTxxxx series)
- Verify controller timing matches MOSFET switching characteristics
- Consider dead time requirements for synchronous rectification applications

 Passive Components 
- Bootstrap capacitors: 0.1-1μF ceramic recommended
- Gate resistors: 2-10Ω typical range for switching speed control
- Output capacitors: Low ESR types (ceramic, polymer) preferred

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
-

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDMC7672S Fairchil 9850 In Stock

Description and Introduction

The FDMC7672S is a PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

Key specifications:  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 120A  
- **RDS(on) (Max)**: 4.5mΩ at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **Package**: Power33  

Applications include power management in DC-DC converters, motor control, and load switching.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)

Application Scenarios & Design Considerations

# FDMC7672S Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FDMC7672S is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET specifically designed for high-efficiency power conversion applications. Its primary use cases include:

 Synchronous Buck Converters 
- High-frequency DC-DC conversion (up to 1MHz)
- Low-side switching in multi-phase VRM applications
- Point-of-load (POL) converters for processor power delivery
- Typical configurations: 12V input to 1.2V/3.3V/5V output

 Motor Drive Circuits 
- Brushless DC (BLDC) motor control
- Stepper motor drivers
- Robotics and automation systems
- Automotive window/lift mechanisms

 Power Management Systems 
- Server power supplies
- Telecom infrastructure equipment
- Industrial power distribution
- Battery management systems (BMS)

### Industry Applications

 Computing and Data Centers 
- Server motherboard VRMs
- GPU power delivery circuits
- Storage system power management
- RAID controller power supplies

 Automotive Electronics 
- Electronic control units (ECUs)
- LED lighting drivers
- Power seat/window controls
- Infotainment system power management

 Consumer Electronics 
- Gaming console power systems
- High-end audio amplifiers
- Smart home device power circuits
- Portable device charging systems

 Industrial Automation 
- PLC power circuits
- Motor control units
- Industrial robotics power systems
- Test and measurement equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON) : Typical 3.8mΩ at VGS = 10V enables high efficiency
-  Fast Switching : Typical 15ns rise/fall times support high-frequency operation
-  Dual Configuration : Two independent MOSFETs in single package saves board space
-  Low Gate Charge : 25nC typical reduces drive requirements
-  AEC-Q101 Qualified : Suitable for automotive applications

 Limitations: 
-  Voltage Constraint : Maximum VDS of 30V limits high-voltage applications
-  Thermal Management : Requires careful thermal design at high currents
-  Gate Drive Requirements : Needs proper gate driver IC for optimal performance
-  Package Limitations : SO-8 package thermal resistance may limit maximum power

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and increased losses
-  Solution : Use dedicated gate driver IC with minimum 2A peak current capability
-  Implementation : TI DRV8701 or similar drivers with proper decoupling

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Implement thermal vias and copper pours for heat dissipation
-  Implementation : Minimum 2oz copper, thermal vias under package

 PCB Layout Problems 
-  Pitfall : Long gate drive traces causing ringing and EMI
-  Solution : Keep gate drive loops compact and minimize parasitic inductance
-  Implementation : Place driver IC within 10mm of MOSFET gates

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility 
- Compatible with most modern gate drivers (TI, Infineon, STMicroelectronics)
- Requires logic-level compatible drivers (VGS(th) max = 2.5V)
- Avoid drivers with excessive overshoot/undershoot

 Controller IC Integration 
- Works well with popular PWM controllers (TI TPS40K, LM51xx series)
- Compatible with voltage-mode and current-mode controllers
- Ensure proper feedback loop compensation

 Passive Component Requirements 
- Bootstrap capacitors: 0.1μF to 1μF ceramic (X7R/X5R)
- Gate resistors: 2.2Ω to 10Ω for

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