100V N-Channel PowerTrench MOSFET The part FDH3632 is manufactured by FAIRCHILD. It is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET). Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.6W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

100V N-Channel PowerTrench MOSFET The part FDH3632 is a dual N-channel MOSFET manufactured by FAIRCHILD. Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 7.5A per channel  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V to 2.5V  
- **Package**: SOIC-8  

This information is based on FAIRCHILD's datasheet for the FDH3632.