25V Dual N-Channel, Digital FET The FDG6313N is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.6W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1V  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

**Applications:**  
- Load switching  
- Power management in portable devices  
- Battery protection circuits  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FDG6313N.