IC Phoenix logo

Home ›  F  › F7 > FDG329N

FDG329N from Fairchil,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

FDG329N

Manufacturer: Fairchil

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDG329N Fairchil 10670 In Stock

Description and Introduction

20V N-Channel PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDG329N MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FDG329N is a dual N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management and switching capabilities in a compact package. This component is widely used in applications requiring high-speed switching, such as power supplies, motor control, and load switching circuits.  

Built with advanced trench technology, the FDG329N provides low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. Its dual-channel configuration allows for space-saving designs while maintaining reliable operation under varying load conditions.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 20V and a continuous drain current (ID) of up to 1.3A per channel, the FDG329N is suitable for low-voltage, high-efficiency applications. The MOSFET also features a logic-level gate drive, making it compatible with 3V to 5V control signals, which simplifies integration into modern digital circuits.  

Housed in an 8-pin SOIC package, the FDG329N is ideal for compact PCB layouts, offering both performance and design flexibility. Its robust construction and reliable performance make it a preferred choice for engineers seeking efficient power switching solutions.  

Fairchild Semiconductor's FDG329N exemplifies precision engineering, delivering durability and efficiency in a versatile dual-MOSFET configuration.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDG329N FAI 3000 In Stock

Description and Introduction

20V N-Channel PowerTrench MOSFET The part FDG329N is manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
1. **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
2. **Part Type:** Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)  
3. **Package:** 8-Lead SOIC  
4. **Electrical Characteristics:**  
   - Drain-Source Voltage (VDSS): 20V  
   - Gate-Source Voltage (VGSS): ±8V  
   - Continuous Drain Current (ID): 1.7A  
   - Total Power Dissipation: 1.4W  
5. **Performance Specifications:**  
   - On-Resistance (RDS(on)): 50mΩ (max) at VGS = 4.5V  
   - Threshold Voltage (VGS(th)): 0.5V to 1.5V  
6. **Quality Standards:**  
   - Compliant with industry-standard FAI requirements (AS9102 or equivalent)  
   - RoHS compliant  

For exact FAI documentation, refer to the manufacturer's datasheet or quality assurance documents.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips