20V N-Channel PowerTrench MOSFET The FDG327N is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ at V_GS = -10V, I_D = -4.3A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 13nC  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 680pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 60pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

The FDG327N is designed for applications such as power management, load switching, and DC-DC conversion.

20V N-Channel PowerTrench MOSFET The part FDG327N is manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). It is an N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET with the following key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 25A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 100A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 45W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 8.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power management applications, such as DC-DC converters and motor control.  

(Source: FAIRCHILD/ON Semiconductor datasheet for FDG327N.)