N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET The FDG311N_NL is a PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** PowerTrench  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Package:** SOT-23  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FDG311N_NL.

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET The part FDG311N_NL is manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). It is a P-Channel MOSFET with the following key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.1A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4V to -1V  
- **Package**: SOT-23  

This MOSFET is designed for low-voltage switching applications.