N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench TM MOSFET The part FDD6680 is manufactured by FAIRCHILD. It is an N-Channel MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 300A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on FAIRCHILD's datasheet for the FDD6680 MOSFET.