FDD603AL ,N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ..
FDD6296 ,30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFETFeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed• 50A, 30 V R = 8.8 mΩ @ V = 10 VDS(ON) GSspecifical ..
FDD6512A ,20V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description MOSFET20V N-Channel November 2001FDD6512A/FDU6512A
FDD6530A ,20V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description MOSFETN-Channel 30A2001FDD6
FDD6606 ,30V N-Channel PowerTrench MOSFETFeatures This N-Channel MOSFET has been designed • 75 A, 30 V R = 6 mΩ @ V = 10 V DS(ON) GSspecific ..
FDD6612 ,N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFETElectrical Characteristics T = 25°C unless otherwise notedASymbol Parameter Test Conditions Min Typ ..
FNA41560B2 ,Motion SPM?45 SeriesApplications Such as Air Conditioners and• Easy PCB Layout Thanks to The Built - In Bootstrap Refri ..
FNB41060 ,Motion SPM?45 SeriesApplications Such as Air Conditioners and• Easy PCB Layout Thanks to The Built - In Bootstrap Refri ..
FNB41560 ,Motion SPM?45 SeriesApplications Such as Air Conditioners and• Easy PCB Layout Thanks to The Built - In Bootstrap Refri ..
FND368C , SEVEN SEGMENT DISPLAYS
FOA3251B1 ,High Speed Clock and Data Recovery for Fiber Optic Applicationscharacteristics.Terms of delivery and rights to technical change reserved.We hereby disclaim any an ..
FOD053L ,SO8, 1MBIT/S HI SPEED DUAL CHANNEL TRANSISTOR LVTTL/LVCMOS 3.3VHIGH SPEED TRANSISTOR OPTOCOUPLERSSINGLE- ..
FDD603AL
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
�������� ��������� �������� �������������������������������������������������������������� ������������������� �������� *"���+#�"�!!����$ ����������!"�!����!���$����$)�� � ������������� ���������Ω ��� ������� ������ �� ����������������!����$�������$���������! �,����"���-� ���� ���������Ω ��� ��������� ������ �� ��$�������(��"� "��������!���(���./0����"!$�$ (���*"�� ���(�"� "���!���(���$������������$�����$���!���1��$!# �������������!�����*"���������������������������(������� � ������������������������������������������������������� �$���$)��$��� �����������$!�����"������2����$!������� ������������ �!��"� "��������!�(��)���"�! ����������)"�������� �)���"�! ���$)��!#��!���$)����$�����!���������!����$ � �� ��������!�"�#�������!���!����$����#����!���$�� ���!���!�������!������ ��!������!�����"��!�����$���%���!���&�!�����$��� ������������ � ’� "���!���(���������� !��$���%������(��$)�� � ������ � � ��2����$!������� � .$�$�������� D D G G S S TO-252 o Absolute Maximum Ratings T =25 C unless otherwise noted C Symbol Parameter Ratings Units V Drain-Source Voltage 30 V DSS V Gate-Source Voltage ±20 V GSS (Note 1) ID Maximum Drain Current - Continuous 33 A 9.5 T = 25°C (Note 1a) A Maximum Drain Current -Pulsed 80 o P Maximum Power Dissipation @ T = 25 C (Note 1) 39 W D C o T = 25 C (Note 1a) 3.2 A o (Note 1b) TA = 25 C 1.3 T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 J stg °C Thermal Characteristics R Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 2.5 °C/W JC θ (Note 1a) R Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 40 °C/W JA θ 96 °C/W (Note 1b) Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity FDD603AL FDD603AL 13’’ 16mm 2500 ���������������������������������������� ����������������
