FDD5690 ,60V N-Channel PowerTrench TM MOSFET ( ")* ..
FDD5810 ,N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27mOhmsFeatures Motor / Body Load Control R = 22mΩ (Typ.), V = 5V, I = 29ADS(ON) GS D ABS Systems Q = ..
FDD5810_F085 ,N-Channel Logic Level Trench?MOSFET! 60V, 36A, 27m?Features! Motor / Body Load Control! R = 22m"!#Typ.), V = 5V, I = 29ADS(ON) GS D! ABS Systems! Q = ..
FDD5N50 ,N-Channel UniFETTM MOSFET 500V, 4A, 1.4?Applications• LCD/LED/PDP TV• Lighting• Uninterruptible Power SupplyDDGGSD-PAKSoMOSFET Maximum Rati ..
FDD5N50NZ ,N-Channel UniFETTM II MOSFET 500V, 4A, 1.5?Applications• LCD/LED/PDP TV• Lighting• Uninterruptible Power Supply DGSD-PAKoMOSFET Maximum Rating ..
FDD5N53TM , N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω
FN4A4M ,RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTORDATA SHEETSILICON TRANSISTORFN4xxxRESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
FDD5690
60V N-Channel PowerTrench TM MOSFET
������� ��������� ����������� ������� �� ������������������������� ������� ������������������� �������� (��"�)*��������+,-!.(���"�/����#�"����#�"����%������ � ������������� ��������Ω ��� ������� ������ �� ����&���0�������0�������%%���������%�1�21�����0�����"�3"��� ��� ���������Ω ��� ������� ������ �� �������"��������3"�������0���������"���������45+ ����������"� � ����������������������������� � (��"��+,-!.("�%���3���%�"����"�����������#����������� � !�"��"���������"���#� ������������������+,-!.("��������&����/���� ������ � $�������%��&�����������������������%����’���&��� "����%�������"� ����� � ������ (�����"3����"���+,-!.(�������"���"����#�"�%������#��0� ��0������0���������%��63�����" ����#�1�21��������"3���� #�"���"��������������0�������%%�������� D D G G S S TO-252 o Absolute Maximum Ratings T =25 C unless otherwise noted C Symbol Parameter Ratings Units V Drain-Source Voltage 60 V DSS V Gate-Source Voltage V GSS ±20 I Maximum Drain Current -Continuous (Note 1) 30 A D (Note 1a) 9 Maximum Drain Current -Pulsed 100 o (Note 1) PD Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C 50 W o T = 25 C (Note 1a) 3.2 A o T = 25 C (Note 1b) 1.3 A T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 J stg °C Thermal Characteristics Thermal Resistance, Junction-to- Case (Note 1) 2.5 R °C/W JC θ Thermal Resistance, Junction-to- Ambient (Note 1a) 40 R °C/W JA θ (Note 1b) 96 °C/W Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity FDD5690 FDD5690 13’’ 16mm 2500 ���������������������������������������� ���������������
