60V N-Channel PowerTrench MOSFET The part FDD5612 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -200A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.028Ω (at V_GS = -10V, I_D = -25A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 100nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDD5612.