COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS The part D45C12 is a transistor manufactured by **MOTOROLA**. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Silicon Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 120V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 12A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 83W (at 25°C case temperature)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15–60 (at I_C = 4A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -65°C to +200°C  
- **Package**: TO-220  

This transistor is designed for general-purpose power amplification and switching applications.  

(Source: MOTOROLA Semiconductor Data Sheet)