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D1723GF from NEC

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D1723GF

Manufacturer: NEC

PLL FREQUENCY SYNTHESIZER AND CONTROLLER FOR FM/MW/LF TUNER CAR AUDIO

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
D1723GF NEC 50 In Stock

Description and Introduction

PLL FREQUENCY SYNTHESIZER AND CONTROLLER FOR FM/MW/LF TUNER CAR AUDIO The part D1723GF is manufactured by NEC. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** D1723GF  
- **Type:** High-frequency transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCB):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCE):** 30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEB):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 800mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Package Type:** TO-92  

This information is based on NEC's datasheet for the D1723GF transistor. No additional guidance or suggestions are included.

Application Scenarios & Design Considerations

PLL FREQUENCY SYNTHESIZER AND CONTROLLER FOR FM/MW/LF TUNER CAR AUDIO# D1723GF Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The D1723GF serves as a  high-frequency switching transistor  primarily employed in:
-  RF amplification circuits  operating in the 500MHz-2GHz range
-  Oscillator circuits  for communication systems
-  Impedance matching networks  in transmitter/receiver modules
-  Low-noise amplification  stages in wireless systems

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base station power amplifiers, cellular repeaters
-  Broadcast Equipment : FM radio transmitters, television broadcast systems
-  Wireless Infrastructure : Wi-Fi access points, microwave links
-  Industrial Electronics : RF heating equipment, plasma generators
-  Military/Defense : Radar systems, secure communication devices

### Practical Advantages
-  High Power Gain : Typically 8-12 dB at 1GHz
-  Excellent Thermal Stability : Operating temperature range of -55°C to +150°C
-  Low Intermodulation Distortion : Critical for multi-carrier systems
-  Robust Construction : Ceramic/metal package ensures mechanical reliability
-  Proven Reliability : MTBF exceeding 100,000 hours at rated conditions

### Limitations
-  Frequency Dependency : Performance degrades significantly above 2.5GHz
-  Thermal Management : Requires adequate heatsinking above 25W continuous operation
-  Impedance Matching : Complex matching networks often required
-  Cost Considerations : Higher unit cost compared to plastic-packaged alternatives
-  Supply Chain : Limited second-source availability

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Thermal Runaway 
- *Problem*: Uneven current distribution at high temperatures
- *Solution*: Implement emitter ballasting resistors (0.1-0.5Ω)
- *Prevention*: Use temperature-compensated biasing networks

 Oscillation Issues 
- *Problem*: Parasitic oscillations due to improper layout
- *Solution*: Add ferrite beads in base/gate leads
- *Prevention*: Proper RF grounding and decoupling

 Impedance Mismatch 
- *Problem*: Reduced power transfer and efficiency
- *Solution*: Use Smith chart matching techniques
- *Prevention*: Implement tunable matching networks

### Compatibility Issues
 With Passive Components 
- Requires  low-ESR capacitors  for decoupling (X7R/X5R ceramics recommended)
-  High-Q inductors  necessary for matching networks (air-core or powdered iron)
-  Precision resistors  with low parasitic inductance (<1nH)

 With Other Active Devices 
- Compatible with  NEC D1724GF  for push-pull configurations
- Interface issues with  CMOS logic  - requires level shifting
-  Mixer stages  may require additional filtering to prevent intermodulation

### PCB Layout Recommendations
 RF Section Layout 
```
+-----------------------+
|  Input Matching  |  D1723GF  |  Output Matching  |
|     Network      |           |      Network      |
+-----------------------+
```
- Maintain  50Ω characteristic impedance  throughout RF path
- Use  ground planes  on both sides of PCB with multiple vias
- Keep  input and output traces  separated by at least 3x trace width

 Thermal Management 
-  Copper pour  under device: Minimum 2oz copper, 2"×2" area
-  Thermal vias : 0.3mm diameter, 1.5mm pitch to bottom layer
-  Heatsink interface : Use thermal compound with <0.3°C/W resistance

 Decoupling Strategy 
-  Bulk capacitors : 10μF tantalum, 1-2cm from device
-  

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