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CY7C1320AV18-167BZC from CY,Cypress

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CY7C1320AV18-167BZC

Manufacturer: CY

Memory : Sync SRAMs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1320AV18-167BZC,CY7C1320AV18167BZC CY 20 In Stock

Description and Introduction

Memory : Sync SRAMs The CY7C1320AV18-167BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM
- **Density**: 4 Mbit (256K x 18)
- **Speed**: 167 MHz (6 ns access time)
- **Voltage Supply**: 1.8V ±0.1V (core and I/O)
- **Organization**: 256K words × 18 bits
- **Package**: 165-ball FBGA (13 × 15 mm)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic) compatible
- **Features**:
  - Pipelined operation for high-speed applications
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption
  - Byte write capability (×18 configuration)
  - On-chip address and data registers
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ mode for power-down operation
  - Clock stop capability

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Sync SRAMs# CY7C1320AV18167BZC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1320AV18167BZC is a high-performance 18Mb synchronous pipelined SRAM organized as 1M × 18 bits, designed for applications requiring high-speed data access and processing. Typical use cases include:

-  Network Processing : Used in network routers, switches, and packet buffers where high-speed data storage and retrieval are critical for packet forwarding and queuing operations
-  Cache Memory : Serves as secondary cache in embedded systems, telecommunications equipment, and high-performance computing applications
-  Data Buffering : Implements FIFO buffers in digital signal processing systems, video processing equipment, and communication interfaces
-  Real-time Systems : Supports real-time data acquisition systems, medical imaging equipment, and industrial control systems requiring deterministic access times

### Industry Applications
 Telecommunications : 
- Base station equipment for 5G infrastructure
- Optical network terminals (ONT)
- Network interface cards (NIC)
-  Key Advantage : Low latency (2.5-3.0ns) supports high-throughput data processing
-  Limitation : Higher power consumption compared to DDR memories in sustained operation

 Industrial Automation :
- Programmable logic controllers (PLCs)
- Motion control systems
- Robotics controllers
-  Practical Advantage : Deterministic access time ensures predictable system performance
-  Limitation : Limited density compared to modern DRAM solutions

 Medical Equipment :
- Ultrasound imaging systems
- Patient monitoring equipment
- Diagnostic instruments
-  Key Benefit : Radiation-tolerant versions available for medical applications
-  Constraint : Requires careful thermal management in enclosed medical devices

### Performance Characteristics
-  Speed Advantage : Operating frequencies up to 333MHz support bandwidth-intensive applications
-  Power Consideration : Active power consumption typically 1150mW at maximum frequency
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) ensures operation in harsh environments

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Sequencing 
-  Pitfall : Improper power-up sequence can cause latch-up or permanent damage
-  Solution : Implement controlled power sequencing with core voltage (VDD) applied before I/O voltage (VDDQ)
-  Implementation : Use power management ICs with programmable sequencing delays

 Signal Integrity Issues 
-  Problem : Ringing and overshoot on high-speed signals due to impedance mismatch
-  Resolution : Implement proper termination schemes (series termination typically 22-33Ω)
-  Verification : Perform signal integrity simulations using IBIS models

 Clock Distribution 
-  Challenge : Clock skew affecting synchronous operation
-  Approach : Use balanced clock tree with matched trace lengths
-  Best Practice : Maintain clock-to-data trace length matching within ±50 mils

### Compatibility Issues

 Voltage Level Compatibility 
-  Core Logic : 1.8V VDD operation requires level translation when interfacing with 3.3V devices
-  I/O Interface : VDDQ supports 1.8V HSTL or SSTL_18 standards
-  Interfacing Solutions : Use dedicated level translators or resistor divider networks for non-critical signals

 Timing Constraints 
-  Setup/Hold Times : Critical when interfacing with processors having different timing characteristics
-  Clock Domain Crossing : Requires synchronization circuits when multiple clock domains interact
-  Solution : Implement FIFOs or dual-port buffers for clock domain isolation

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution Network 
- Use dedicated power planes for VDD and VDDQ
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance
- Place decoupling capacitors close to power pins (100nF ceramic + 10μF tantalum per power bank)

 Signal Routing Guidelines 
-  Address/

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1320AV18-167BZC,CY7C1320AV18167BZC Cypress 81 In Stock

Description and Introduction

Memory : Sync SRAMs The CY7C1320AV18-167BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:  

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 167 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **I/O Voltage**: 1.8V  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Access Time**: 3.0 ns (clock-to-data)  
- **Cycle Time**: 6.0 ns  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Byte Write capability  
  - Burst mode operation (Linear or Interleaved)  
  - Single-cycle deselect  
  - ZZ (Sleep Mode) for power savings  
  - JTAG Boundary Scan support  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Sync SRAMs# CY7C1320AV18167BZC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1320AV18167BZC 18-Mbit QDR®-IV SRAM serves as high-performance memory in applications requiring sustained bandwidth and deterministic latency:

 Primary Applications: 
-  Network Processing : Line card buffers, packet processing engines, and switching fabric interfaces in routers and switches operating at 10G/40G/100G speeds
-  Telecommunications : Base station processing, microwave backhaul systems, and optical transport network equipment
-  Test & Measurement : High-speed data acquisition systems, protocol analyzers, and automated test equipment
-  Military/Aerospace : Radar signal processing, electronic warfare systems, and avionics computers
-  Medical Imaging : Real-time image processing in CT scanners, MRI systems, and digital X-ray equipment

### Industry Applications
 Networking Equipment 
- Core routers and enterprise switches requiring predictable memory access patterns
- Load balancers and security appliances processing multiple data streams
- 5G infrastructure equipment handling massive data throughput

 Industrial Systems 
- Programmable logic controller (PLC) systems in automation
- Robotics control systems requiring low-latency memory access
- Real-time processing in industrial vision systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Deterministic Performance : Separate read/write ports eliminate bus contention
-  High Bandwidth : 550 MHz operation delivers 22 Gbps total bandwidth
-  Low Latency : Fixed pipeline latency with registered inputs/outputs
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) support
-  Power Efficiency : HSTL I/O technology reduces power consumption

 Limitations: 
-  Complex Interface : Requires careful timing analysis and signal integrity management
-  Higher Cost : Premium pricing compared to conventional SRAM
-  Power Consumption : Higher active power than DDR memories in some scenarios
-  Board Complexity : 165-ball BGA package demands advanced PCB manufacturing

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues 
-  Pitfall : Failure to meet setup/hold times due to clock skew
-  Solution : Implement matched-length routing for clock and data signals
-  Implementation : Use constraint-driven layout tools with timing analysis

 Signal Integrity Problems 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Implement proper termination schemes (series or parallel)
-  Implementation : Use 50Ω controlled impedance traces with appropriate termination resistors

 Power Distribution Challenges 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous switching
-  Solution : Implement dedicated power planes with sufficient decoupling
-  Implementation : Place 0.1μF and 0.01μF capacitors near power pins

### Compatibility Issues

 Voltage Level Mismatch 
-  Issue : 1.5V HSTL interface may require level translation
-  Resolution : Use compatible FPGAs/ASICs with native HSTL support
-  Alternative : Implement level shifters for mixed-voltage systems

 Clock Domain Synchronization 
-  Issue : Multiple clock domains in complex systems
-  Resolution : Use FIFOs or dual-clock synchronizers
-  Best Practice : Maintain synchronous operation within memory subsystem

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution Network 
- Use dedicated power planes for VDD (1.5V) and VDDQ (1.5V)
- Implement star-point grounding for analog and digital grounds
- Place decoupling capacitors within 100 mils of power pins

 Signal Routing Guidelines 
- Maintain 50Ω single-ended impedance for all signals
- Route address/control signals as matched-length groups (±10 mil tolerance)
- Implement ground shields between critical signal groups
-

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