256 Kbit (32K x 8) nvSRAM The CY14B256LA-SP25XI is a radiation-hardened, 256-Kbit (32K x 8) serial non-volatile SRAM (nvSRAM) manufactured by Infineon Technologies (formerly Cypress Semiconductor).  

### Key Specifications:  
- **Memory Size**: 256 Kbit (32K x 8)  
- **Interface**: SPI (Serial Peripheral Interface)  
- **Speed**: 25 MHz (Max)  
- **Operating Voltage**: 3.0V to 3.6V  
- **Temperature Range**: -55°C to +125°C  
- **Radiation Hardened**:  
  - SEL (Single Event Latch-up) Immune to LET ≥ 120 MeV·cm²/mg  
  - TID (Total Ionizing Dose) ≥ 100 krad(Si)  
- **Endurance**: Unlimited read/write cycles (SRAM), 1 million write cycles (non-volatile storage)  
- **Data Retention**: 20 years (non-volatile storage)  
- **Package**: 16-lead SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  

This device is designed for aerospace, defense, and other high-reliability applications requiring non-volatile memory with radiation tolerance.