NPN/PNP Transistor Array, High Voltage, General Purpose The CA3096 is a monolithic integrated circuit manufactured by Harris Semiconductor. It is a quad operational transconductance amplifier (OTA) and buffer. Key specifications include:

- **Supply Voltage Range**: ±4V to ±18V
- **Transconductance Range**: Adjustable from 0 to 2.6 mS
- **Input Offset Voltage**: Typically 2 mV
- **Input Bias Current**: Typically 200 nA
- **Gain Bandwidth Product**: Typically 2 MHz
- **Slew Rate**: Typically 50 V/µs
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Package Options**: 16-pin DIP (Dual In-line Package) and SOIC (Small Outline IC)

The CA3096 is commonly used in applications such as voltage-controlled amplifiers, filters, and oscillators.

NPN/PNP Transistor Array, High Voltage, General Purpose The part CA3096 is manufactured by **HAR (Harris Corporation)**.  

**Specifications:**  
- **Type:** Monolithic array of NPN and PNP transistors  
- **Configuration:** Contains five NPN and four PNP transistors  
- **Applications:** Analog signal processing, switching circuits, and differential amplifiers  
- **Package:** 16-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Voltage Rating:** Up to 36V  
- **Current Rating:** Collector current (IC) up to 50mA per transistor  

For exact electrical characteristics, refer to the datasheet from **HAR (Harris Corporation)**.

NPN/PNP Transistor Array, High Voltage, General Purpose The part CA3096 is manufactured by HAR (Harris Corporation). It is a monolithic integrated circuit that consists of five NPN transistors on a single chip. The device is designed for use in high-frequency amplifier and switching applications. 

Key specifications include:
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 50mA per transistor
- **Power Dissipation (PD):** 500mW (total for all five transistors)
- **Transition Frequency (fT):** 550MHz (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C

The CA3096 is packaged in a 14-pin ceramic dual in-line package (DIP). Each transistor is isolated from the others, allowing independent operation. The device is suitable for applications requiring matched transistors, such as differential amplifiers and analog switches. 

Note: Always refer to the official datasheet for precise and detailed specifications.

NPN/PNP Transistor Array, High Voltage, General Purpose The part CA3096 is manufactured by HARR (Harris Semiconductor). It is a monolithic integrated circuit that combines five NPN transistors in a single package. The device is designed for use in analog signal processing and switching applications. Key specifications include:

- **Transistor Configuration**: Five NPN transistors (three with common emitters and two with independent emitters).
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 15V.
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 50mA per transistor.
- **Power Dissipation (P_D)**: 500mW (total for all transistors).
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C.
- **Package Type**: 14-pin DIP (Dual In-line Package).

The CA3096 is commonly used in analog multiplexers, signal switching, and amplifier applications.

NPN/PNP Transistor Array, High Voltage, General Purpose The part CA3096 is a monolithic integrated circuit manufactured by INTERSIL. It consists of five NPN transistors on a single chip, designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. 

Key specifications:
- Transistor configuration: Five independent NPN transistors
- Collector-emitter voltage (VCEO): 30V (max)
- Collector current (IC): 10mA (max per transistor)
- Power dissipation (PD): 500mW (total for all five transistors)
- Transition frequency (fT): 100MHz (typical)
- Operating temperature range: -55°C to +125°C
- Package type: 14-pin DIP (Dual In-line Package)

The transistors are isolated from each other and share a common substrate connection. The device is suitable for low-power applications requiring multiple matched transistors.