Rectifier diodes Schottky barrier The BYV116B is a high-speed switching diode manufactured by PHI (Philips). Below are its key specifications:

- **Type**: High-speed switching diode
- **Manufacturer**: PHI (Philips)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 100V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30A (non-repetitive)
- **Forward Voltage (VF)**: 1.3V (at 1A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 50ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Package**: SOD-57 (DO-41)

These specifications are based on standard datasheet information for the BYV116B diode. For detailed performance characteristics, refer to the official PHI datasheet.

Rectifier diodes Schottky barrier The BYV116B is a high-speed switching diode manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** High-speed switching diode  
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM):** 100 V  
- **Average Rectified Forward Current (IF(AV)):** 1 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30 A  
- **Forward Voltage (VF):** 1.3 V (at 1 A)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 50 ns (typical)  
- **Junction Capacitance (Cj):** 15 pF (typical at 0 V, 1 MHz)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** SOD-57 (DO-41)  

This diode is commonly used in high-frequency rectification, freewheeling, and switching applications.  

(Source: PHILIPS/NXP datasheet for BYV116B)